Кажется, конференция Qualcomm 4G/5G Summit, которая только-только отгремела в Гонконге, принесла значительно больше неожиданных новостей, чем от нее вообще ожидали. Так, аналитики со всего мира давно твердили о том, что Samsung работает над новой памятью для своих смартфонов. Но они даже предположить не могли, что представитель бренда решит рассказать об этом публично так скоро, тем более упомянув даже некоторые цифры и указав примерную дату релиза новинок в новых гаджетах.
Как оказалось, компания уже в первой половине 2019 года планирует первый тестовый выпуск гаджетов с флеш-памятью нового поколения (уже третьего по счету).
На сегодняшний день, самой продвинутой технологией памяти является Unified File Storage (UFS) 2.1. В сравнении с ним, UFS 3.0 в два раза быстрее. То есть информация будет передаваться по одному каналу со скоростью до 12 Гбит/с (при доступных сейчас 6 Гбит/с). Чипы с обновленной флеш-памятью будут выпускаться в трех вариациях — 128, 256 и 512 Гб. Но уже через два года Samsung планирует преодолеть и эту черту подняв ее до 1 Тб.
Какие конкретно модели получат такое счастье в свое распоряжение — пока неизвестно, но вряд ли Samsung решат скрыть такую важную информацию при презентации новых моделей.
