В рамках конференции Qualcomm 4G/5G Summit в Гонконге глава по планированию мобильных продуктов Samsung Джей Ох рассказал о достижениях компании в области производства памяти. По его словам, уже в следующем году появятся устройства с флэш-памятью стандарта Unified File Storage (UFS) третьего поколения. Кроме того, Джей Ох раскрыл подробности оперативной памяти типа LPDDR5.
В сравнении с используемой сейчас в топовых смартфонах флэш-памятью UFS 2.1 новый стандарт UFS 3.0 имеет вдвое большую пропускную способность — до 12 Гбит/с на линию. Достижения в области производства 3D-NAND позволили Samsung сделать новые чипы памяти таких же физических размеров, что и старые. С начала 2019 года они будут выпускаться в вариантах на 128, 256 и 512 ГБ. Кроме того, к 2021-му Samsung намерена наладить производство чипов объёмом 1 ТБ.
Что касается оперативной памяти LPDDR5, её пропускная способность в сравнении с прошлым поколением вырастет с 44 ГБ/с до 51,2 ГБ/с. При этом энергопотребление удалось снизить на 20%.
Массовое производство памяти LPDDR5 запланировано на 2020 год.